场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。

MOS场效应管有加强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。

场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。
{{ :p.jpg?800 |}}

{{ :n.jpg?800 |}}

{{ :principle.jpg?800 |}}



防反接：

PMOS管常用在正极，NMOS管常用在负极

{{:application.jpg?400 |}}