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场效应管mos
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场效应管mos
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场效应管是只要一种载流子参与导电,用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。 MOS场效应管有加强型(Enhancement MOS 或EMOS)和耗尽型(MOS或DMOS)两大类,每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。 场效应管有三个电极:D(Drain) 称为漏极,相当双极型三极管的集电极;G(Gate) 称为栅极,相当于双极型三极管的基极;S(Source) 称为源极,相当于双极型三极管的发射极。 {{ :p.jpg?800 |}} {{ :n.jpg?800 |}} {{ :principle.jpg?800 |}} 防反接: PMOS管常用在正极,NMOS管常用在负极 {{:application.jpg?400 |}}
场效应管mos.txt
· 最后更改: 2021/12/05 23:51 由
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