场效应管mos
差别
这里会显示出您选择的修订版和当前版本之间的差别。
| 两侧同时换到之前的修订记录 前一修订版 后一修订版 | 前一修订版 | ||
|
场效应管mos [2021/12/05 23:48] admin |
场效应管mos [2021/12/05 23:51] (当前版本) admin |
||
|---|---|---|---|
| 行 1: | 行 1: | ||
| 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。 | 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。 | ||
| + | |||
| MOS场效应管有加强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。 | MOS场效应管有加强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。 | ||
| + | |||
| 场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 | 场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 | ||
| - | {{:p.jpg?400 |}} | + | {{ :p.jpg?800 |}} |
| + | |||
| + | {{ :n.jpg?800 |}} | ||
| + | |||
| + | {{ :principle.jpg?800 |}} | ||
| + | |||
| - | {{:n.jpg?400 |}} | + | 防反接： |
| - | {{:principle.jpg?400 |}} | + | PMOS管常用在正极，NMOS管常用在负极 |
| {{:application.jpg?400 |}} | {{:application.jpg?400 |}} | ||
场效应管mos.1638719324.txt.gz · 最后更改: 2021/12/05 23:48 由 admin
除额外注明的地方外，本维基上的内容按下列许可协议发布： CC Attribution-Share Alike 4.0 International
