场效应管mos
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场效应管mos [2021/12/05 23:48] admin 创建 |
场效应管mos [2021/12/05 23:51] (当前版本) admin |
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| 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。 | 场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N沟道器件和P沟道器件。 | ||
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| MOS场效应管有加强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。 | MOS场效应管有加强型（Enhancement MOS 或EMOS）和耗尽型(MOS或DMOS）两大类，每一类有N沟道和P沟道两种导电类型。 | ||
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| 场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 | 场效应管有三个电极：D(Drain) 称为漏极，相当双极型三极管的集电极；G(Gate) 称为栅极，相当于双极型三极管的基极；S(Source) 称为源极，相当于双极型三极管的发射极。 | ||
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| - | {{:n.jpg?200 |}} | + | 防反接： |
| - | {{:principle.jpg?200 |}} | + | PMOS管常用在正极，NMOS管常用在负极 |
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场效应管mos.1638719302.txt.gz · 最后更改: 2021/12/05 23:48 由 admin
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